Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
IPI032N06N3 G
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPI032N06N3 G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Podroben opis:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12803633
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPI032N06N3 G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 118µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
13000 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
188W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO262-3
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
IPI032N
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
IPx029N06N3 G
HTML tehnični list
IPI032N06N3 G-DG
Tehnični listi
IPI032N06N3 G
Dodatne informacije
Druga imena
SP000451490
IPI032N06N3G
IPI032N06N3 G-DG
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FDI030N06
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
FDI030N06-DG
CENA ENOTE
2.27
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
PSMN2R0-60ES,127
PROIZVAJALEC
NXP Semiconductors
KOLIČINA NA VOLJO
7334
ŠTEVILKA DELA
PSMN2R0-60ES,127-DG
CENA ENOTE
1.30
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IRFSL3206PBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
1600
ŠTEVILKA DELA
IRFSL3206PBF-DG
CENA ENOTE
1.22
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD90N03S4L03ATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IRF5803D2TR
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
IRF7401TRPBF
MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO
IRF7707TRPBF
MOSFET P-CH 20V 7A 8TSSOP